目前东芝和IBM将联合开发32nmBulkC啊

两公司从2005年12月起，一直在位本钱28MPa于美国纽约州约克城（Yorktown）和奥尔巴尼（Albany）的研究设施内，共同推进32nm以后的半导体工艺基础研究。根据此次的协议，两公司将以此前的基础研究成果为基础，把联合开发对象拓展至32nmBulkCMOS工艺上。

根据协议，东芝将加入目前IBM及其合作企业共6家公司设在美国纽约州EastFishkill的、32nmBulkCMOS工艺联合开发联盟中。

东芝的齐藤升三（高级常务执行董事半导体公司社长）表示，“东芝继与IBM的联合进行基济采取DecoJect基于薄膜的解决方案南试金是1家专业生产实验仪器仪表的企业,始终坚持客户第1,诚信至上的原则,与多家企业建立了长时间的合作关系. 真诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务.础研究之后，还将作为全球主要SoC厂商成立的联合开发小组成员，推进32nmBulkCMOS工艺的痕硬度越高开发。同时，将加速东芝AdvancedMicro-ElectronicsCenter推进的32nm量产工艺开发，目标是早日实现最尖端元件的量产”。